Zur analogen Großsignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung des Subthreshold-Gebietes

1. Einführung.- 2. Analytische und experimentelle Erfassung des analogen Großsignalbetriebs von Feldeffekttransistoren ohne Berücksichtigung dynamischer Effekte.- 3. Entwurf des Modells.- 3.1 Kennlinienmodell im Sättigungsgebiet für konstante Drain-Source-Spannung.- 3.2 Kennlinienmodell im Sättigungsgebiet für variable Drain-Source-Spannung.- 3.3 Differentielle Größen.- 3.4 Besonderheiten des Modells.- 3.5 Grenzen des Modells.- 4. Bestimmung der Parameter des Modells aus den gemessenen Kennlinien des Feldeffekttransistors.- 4.1 Bezugsspannung UDS0.- 4.2 Parameter Iq und ß.- 4.3 Parameter Uth.- 4.4 Parameter C.- 4.5 Parameter RS.- 4.6 Verhältnis UE/n.- 4.7 Parameter m und p.- 4.8 Parameter n, t und UE.- 4.9 Parameter von PNFET und MOSFET.- 5. Überprüfung des Modells.- 5.1 PNFET.- 5.2 MOSFET.- 6. Berechnung der Harmonischen des Drainstromes.- 7. Ermittlung der Harmonischen des Drainstromes der Sourceschaltung.- 7.1 Typische Kennlinien der Harmonischen des Drainstromes als Funktion der Gate-Source-Spannung.- 7.2 Harmonische des Drainstromes des PNFET in Sourceschaltung.- 7. 3 Harmonische des Drainstromes des MOSFET in Sourceschaltung.- 8. Zusammenfassung.- 9. Literatur.