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Halbleiterprobleme (eBook)

In Referaten des Halbleiterausschusses des Verbandes Deutscher Physikalischer Gesellschaften Mainz 1955
Artikelnummer: 978-3-540-75302-5
Einband: PDF
Verfügbarkeit: Noch nicht erschienen, April 2027
CHF 44.00

Befreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7.

Befreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7.

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VerlagSpringer Berlin Heidelberg
EinbandPDF
Erscheinungsjahr2008
Seitenangabe280 S.
AusgabekennzeichenDeutsch
AbbildungenVII, 280 S.
Auflage1956
PlattformPDF
ReiheAdvances in Solid State Physics
AutorSchottky, W. (Hrsg.)

Alle Bände der Reihe "Advances in Solid State Physics"

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